2021年2月23日,國瓷材料總經理張兵在2020年度業績網上說明會上透露,公司氮化鋁陶瓷基板目前已完成中試,將在2021年實現量產。此前國瓷材料高導熱陶瓷基板項目公示材料顯示,項目建成后可實現年產氧化鋁粉體3000t,氮化鋁粉體200t,高導熱陶瓷基板200萬片。
據國瓷材料氮化鋁粉發明專利信息顯示,其氮化鋁粉采用一種高溫熔融法制備,以氨氣和氮氣混合氣體通入爐體與鋁粉發生反應。該方法具備成本低,氮化鋁粉末純度高,球形度高,粒度分布窄,無結塊的優點。
作為芯片承載材料,AlN陶瓷層可有效提高模塊的絕緣能力,而且氮化鋁陶瓷基板具有良好的導熱性,熱導率可以達到170-260W/mK。IGBT或SIC模塊在運行過程中,在芯片的表面會產生大量的熱量,這些熱量會通過陶瓷基板傳輸到模塊散熱底板上,再通過底板上的導熱硅脂傳導于散熱器上,完成模塊的整體散熱流動。除此之外,AlN陶瓷還具備熱阻系數低、膨脹系數匹配、機械性能優、焊接性能佳的顯著特點,采用氮化鋁陶瓷基板的IGBT模塊具有更好的熱疲勞穩定性和更高的集成度。
氮化鋁陶瓷基板
東莞鈞杰陶瓷專業從事氮化鋁陶瓷基板精密加工,擁有CNC、激光機等多種先進加工設備。2020年公司氮化鋁陶瓷整體出貨量相較前一年增長了90%。今年公司將再度發力,重點布局半導體行業,將大力推廣氮化鋁陶瓷產品。